天津大学博士、硕士研究生指导教师信息表

 

刘昌龙 博导,理学院凝聚态物理专业
 
通讯地址 : 天津大学理学院应用物理系
天津市南开区卫津路 92 号
邮  编 :300072
E-mail : liuchanglong@tju.edu.cn
办公室电话 :
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研究方向一:

离子束材料表面改性

研究方向二:

晶体结构和缺陷

研究方向三:

离子束在功能材料中的应用

毕业硕士生数:

毕业博士生数:
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学习与工作简历:

1985年9月—1989年7月:南京大学物理系磁学专业学习,获理学学士学位
1989年8月—1999年8月:中国科学院近代物理研究所工作,研究实习员
1990年9月—1993年7月:中国科学院近代物理研究所攻读硕士研究生,获理学硕士学位
1993年9月—1995年8月:中国科学院近代物理研究所工作,助理研究员
1995年9月—1999年6月:中国科学院近代物理研究所攻读博士研究生,获理学博士学位
1999年11月—2000年10月:英国 University of Surrey ,访问学者
2000年11月—2001年6月:中国科学院近代物理研究所工作,副研究员
2001年7月—2003年6月:法国国家科研中心和欧洲 ST 微电子公司,博士后
2003年7月至今:天津大学理学院应用物理系教授

讲授主要课程:

大学物理,核技术分析,粒子与固体相互作用物理学

参加学术团体、任何职务:

中国核物理学会会员
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代表性论文、论著:

  • Damage Production in Silicon after High Energy Ar Ion Irradiation, Nucl. Instru. Meth. B135 (1998) 219-224.
  • Chemical Modifications in PET Films Induced by 35MeV/u Ar Ions, Nucl. Instru. Meth. B166-167 (2000) 641-645.
  • Molecular Conformation Changes of PET Films under High Energy Ar Ion Bombardment, Nucl. Instru. Meth. B169 (2000) 72-77.
  • Study of Effects in Polyethylene Terephthalate Films Induced by High Energy Ar Ion Irradiation, Nucl. Instru. Meth. B169 (2000) 78-82.
  • The Evolution of Cavities in Si co-implanted with Si and He Ions, Mater, Sci. & Eng . B102 (2003) 75-79.  
  • The Role of a Top Oxide Layer in Cavities Formed by MeV He Implantation into Silicon, European Physics: J. Appl. Phys. 23 (2003) 45-48 。

研究成果:

主要参加和完成多项国家自然科学基金项目、中国科学院“八五”、“九五”重点基金项目以及多项甘肃省自然科学基金项目,以第一作者在国内外核心期刊上发表论文 30 余篇 , 其中《 SCI 》《 EI 》收录 20 篇 。

荣誉和奖励:

2002 年荣获甘肃省科技进步二等奖
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其  它:

   
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